786 710 Doctoral programme in Engineering Sciences Electrical Engineering

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2021W-2022S (2007U)

TitlePrecon.HoursECTS
Doctoral programme in Engineering Sciences Electrical Engineering
180.0
Scientific Emphasis
18.0
Wissenschaftliche Vertiefung
18.0
PV Privatissimum für Dissertanten
4.0
370.003 PV 2022S
2.04.0
370.003 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
354.007 PV 2021W
2.04.0
357.013 PV 2022S
2.04.0
357.013 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
362.046 PV 2022S
2.04.0
362.048 PV 2022S
2.04.0
362.048 PV 2021W
2.04.0
362.050 PV 2022S
2.04.0
362.050 PV 2021W
2.04.0
362.086 PV 2022S
2.04.0
362.086 PV 2021W
2.04.0
362.099 PV 2022S
2.04.0
366.009 PV 2022S
2.04.0
366.009 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
371.486 PV 2022S
2.04.0
371.486 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
376.009 PV 2022S
2.04.0
376.035 PV 2022S
2.04.0
376.035 PV 2021W
2.04.0
381.145 PV 2022S
2.04.0
381.145 PV 2021W
2.04.0
382.006 PV 2022S
2.04.0
382.006 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
389.045 PV 2022S
2.04.0
389.045 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
362.114 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
376.026 PV 2022S
2.04.0
376.026 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
370.019 PV 2022S
2.04.0
370.019 PV 2021W
2.04.0
389.189 PV 2022S
2.04.0
366.101 PV 2022S
2.04.0
366.101 PV 2021W
2.04.0
370.072 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
2.04.0
362.157 PV 2022S
2.04.0
389.188 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
362.161 PV 2021W
2.04.0
2.04.0
376.071 PV 2022S
2.04.0
376.071 PV 2021W
2.04.0
389.198 PV 2021W
2.04.0
354.078 PV 2022S
2.04.0
354.083 PV 2021W
2.04.0
387.084 PV 2022S
2.04.0
387.084 PV 2021W
2.04.0
389.205 PV 2022S
2.04.0
389.205 PV 2021W
2.04.0
387.089 PV 2022S
2.04.0
387.089 PV 2021W
2.04.0
SE Advanced Methods in Mechatronics and Instrumentation for PhD-Students
3.03.0
3.03.0
3.03.0
SE Privatissimum für Dissertanten
2.0
2.02.0
SP Indroduction into teaching electrical engineering at the university level
2.03.0
SE Ausgewählte Kapitel der Halbleiterphysik für Diss.
2.0
2.02.0
VO Rechnergestützte Energiewirtschaft
3.0
SE Ausgewählte Kapitel der Halbleitertechnologie für Diss.
3.0
3.03.0
SE Mikrostruktursimulation für Dissertanten
2.0
SE Nanostrukturbauelemente in ULSI-Schaltungen für Dissertanten
2.0
2.02.0
PR PrA aus Herst. u. Charakter. dünner Schichten
8.0
PR Nanostrukturierung mit fokussierten Ionen- und Elektronenstrahlen
8.0
8.08.0
SE Semiconductor Nanostructures
2.0
SE Research Projects in Advanced Signal Processing
3.0
3.03.0
3.03.0
PR Projektarbeit aus Halbleiterphysik
8.0
PR Projektarbeit aus Halbleitertechnologie
8.0
8.08.0
8.08.0
PR Gasphasenunterstützte Abscheideverfahren für nanoskalierte MOSFET
8.0
PV Technologie - CAD für Dissertanten
4.0
3.04.0
VO Stationäre Analyseverfahren f. el. Energienetze
2.25
SE Dissertantenseminar
2.0
376.037 SE 2022S
2.02.0
376.037 SE 2021W
2.02.0
376.076 SE 2021W
2.02.0
376.008 SE 2022S
2.02.0
SE Fortgeschrittene Methoden der Regelungstheorie für Dissertanten
3.0
3.03.0
3.03.0
KO Telekommunikationsforum
2.0
389.018 KO 2021W
2.02.0
VO Lecture Series Introduction to Functional Matter
3.0
Thesis Dissertation
162.0
Final exam Viva Voce Examination
Responsible dean of academic affairs
For questions regarding the curriculum please contact the responsible dean of academic affairs.

Legend

Courses belong to the introductory and orientation phase ("Studieneingangs- und Orientierungsphase")
Courses belong to the introductory interview ("Studieneingangsgespräch")
Courses require the completion of the introductory and orientation phase
Courses require the completion of the introductory interview STEG