Nach positiver Absolvierung der Lehrveranstaltung sind Studierende in der Lage...

...neuartige Transistorarchitekturen und Technologien zur Verringerung von Kurzkanaleffekten zu beschreiben.
...den Einsatz von mechanischer Verspannung zur Einstellung der Ladungsträgermobilitäten und Verbesserung der Transistorleistungsfähigkeit korrekt einzusetzen.

... die aktuelle technologische Fertigungskonzepte der MOSFET-Fertigung zu kombinieren
... zukünftige Trends der International Roadmap for Devices and Systems zu benennen
... alternative Logik-Bauelemente (zB Spin-FETs, Nanomagnet Logic) zu vergleichen
... alternative Verwendungen für bioelektronische Anwendungen zu erfassen

...Kontinuum-Modelle und atomistische Modell in der Prozesssimulation zu vergleichen.
...ein geeignetes Simulationsverfahren für ein Problem der Prozesssimulation auszuwählen.
...die wichtigsten Simulationsverfahren zu beschreiben

Neue Materialien, Prozesse und Bauelemente aus Sicht der ITRS-Roadmap
Einführung in Computational Materials Science mit Anwendungen in der Halbleitertechnologie
Eigene Forschungsergebnisse (Nanomagnetologik, FIB-Simulation)

Vorlesungen mit digitaler Präsentation

Erste Vorlesung: 20.4.2023, Beginn 9:30 pünktlich

Mündliche Prüfung. Die Prüfung besteht aus Teilprüfungen der Vortragenden. Zu Lehrveranstaltungsende werden nach Möglichkeit Termine angeboten, an denen alle Prüfungsteile abgelegt werden können. Danach können Prüfungstermine individuell mit den Vortragenden vereinbart werden.