Nach positiver Absolvierung der Lehrveranstaltung sind Studierende in der Lage...
...Herstellungsverfahren und Eigenschaften integrierter Bauelemente zu beschreiben
...ein TCAD-Tool zu bedienen und sich in User-Guides zurechtzufinden.
...die Möglichkeiten moderner TCAD-Tools zu beschreiben.
...aktuelle Trends in ausgewählten Gebieten der Nanotechnologie zu beschreiben.
... dei Funktion moderner Logikbauelemente und Datenspeicher zu verstehen
... Die Prinzipien von unterschiedlichen Displays (LCD, FET, OLED, elect.paper) zu vergleichen
Nach einem einleitenden Vorlesungsteil über Mikro- und Nanoelektronik (Mooresches Gesetz, Prozesstechnologie, TCAD, neue MOSFETs) werden in Gruppen aktuelle Bauelemente (32nm MOSFET, 14nm FinFET) mit Hilfe der TCAD-Software Sentaurus simuliert (Prozess- oder Devicesimulation). Dabei wird ein Template vorgegeben, das im Sinne einer Aufgabenstellung abgeändert werden soll. Anschließend folgen Vorlesungen über weitere Themen der Nanoelektronik und Informationstechnologie (neue Bauelementkonzepte, Halbleiterspeicher, Sensoren, Displays), die unter anderem auch auf Themen der Bachelorarbeit vorbereiten.
Die Übungen finden im November statt. Die Einteilung in Gruppen erfolgt Ende Oktober. Ein Antreten zur Prüfung erfordert eine erfolgreich absolvierte Übung. Falls Sie einen Vortrag gehalten und keine anderweitige Rückmeldung erhalten haben, ist Ihre Übung positiv.
Details für das Online-Format der Vorlesung werden vor Semesterbeginn bekannt gegeben.
Handouts der Vorlesungsfolien werden im Laufe der Lehrveranstaltung in TISS zur Verfügung gestellt.
R. Waser, Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Wiley-VCH, 3rd Edition, 2012.
