Nach positiver Absolvierung der Lehrveranstaltung sind Studierende in der Lage
Es werden physikalische Fragestellungen mit Relevanz für die Modellierung von Halbleiterbauelementen behandelt. Die Themen orientieren sich an den aktuellen Forschungsprojekten des Instituts. Beispiele sind: Energietransportmodelle und Momentengleichungen höherer Ordnung, Beweglichkeit in verspannten Halbleiterschichten, Stossionisation, Monte Carlo Simulation des Ladungsträgertransports, Quantisierungseffekte in Inversionsschichten und Heterostrukturen, Modellierung von Tunnelströmen.
Diskussionen mit dem Betreuer der Dissertation, Präsentation von Ergebnissen vor Kollegen.
Es ist ein kuerzer Bericht über das erarbeitete Thema zu erstellen sowie ein ein Vortrag am Institut zu halten
beim Vortragenden, Gußhausstr. 27-29, Stiege 1, 5.Stock, Raum CAO535
abgeschlossenes Diplom- oder Magisterstudium